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純度高達99.99999%的高純砷要怎么制備？在第二代半導體中，砷化鎵（GaAs）被認為目前最成熟的化合物半導體材料之一，與硅（Si）相比，具有禁帶寬（1.42eV）、電子遷移率高（8500cm2/V·s）、電子飽和漂移速度高、能帶結構為直接帶隙等特性，常用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等，其相關器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點，因此受到通信領域和國防與航空航天領域的重視。
不過在自然界中并不存在砷化鎵晶體，它屬于人工晶體材料的一種，其多晶合成和單晶生長技術的實現都需要依賴于單質砷、鎵的物理化學反應。在這個過程中，原材料的純度越高，就越能顯示出材料的本征特性，材料的應用價值也能更好地發揮出來，在半導體領域更是如此，目前用于制備半導體材料砷化鎵的單質砷的純度多為99.9999%（6N）和99.99999%（7N）。 |
